体细节，以便透彻理解本实用新型。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些 具体细节的其它实施例中也可以实现本实用新型。在其它情况中，省略对众所周知的装置、 电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本实用新型的描述。
[0037] 另外，术语"第一"、"第二"仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性 或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有"第一"、"第二"的特征可以明示或 者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，"多个"的含 义是两个或两个以上。
[0038] 本实用新型的实施例提供一种阵列基板，包括由交叉设置的栅线和数据线划分出 的多个像素单元，具体的，本实用新型的实施例以一个像素单元进行举例说明。
[0039] 如图1或图2所示，像素单元01包括第一子像素电极11和第二子像素电极21，第 一子像素电极11和第二子像素电极21分别由第一 TFT 12和第二TFT 22驱动，具体的，第 一子像素电极11与第一 TFT 12的漏极相连，第二子像素电极21与第二TFT 22的漏极相 连，并且，第一 TFT 12的栅极与第二TFT 22的栅极均与同一条栅线02相连，第一 TFT 12 的源极与第二TFT 22的源极均与同一条数据线03相连。
[0040] 当然，第一 TFT 12的栅极与所述第二TFT 22的栅极可以分别与不同栅线相连；第 一 TFT 12的源极与所述第二TFT 22的源极也可以分别与不同数据线相连，本实用新型对 此不作任何限定。
[0041] 其中，第一 TFT 12的源极与其相连的数据线03之间的电阻，大于第二TFT 22的 源极与其相连的数据线03之间的电阻；和/或，第一 TFT 12的漏极与第一子像素电极11 之间的电阻，大于第二TFT 22的漏极与第二子像素电极21之间的电阻。
[0042] 具体的，如图1所示，相对于第二TFT 22的源极而言，第一 TFT12的源极与数据线 03之间增设有第一分压电阻R1，由于数据线03施加的驱动电压相同，第一 TFT 12的源极 与数据线03的连接点A1处的电压等于第一 TFT 22的源极与数据线03的连接点A2处的 电压（UA1 = UA2)，那么，第一 TFT 12的源极上B1处经过第一分压电阻R1的分压作用后， B1处的电压UB1 = UA1-IR(I为经过第一分压电阻R1的电流值），而第一 TFT 22的源极上 B2处的电压UB2 = UA1，因此，UB2大于UB1，进一步地，由于第一子像素电极11充电后的充 电电压与B1处的电压相同或接近，第二子像素电极21充电后的充电电压与B2处的电压相 同或接近，而U B2 >UB1，因此，第一子像素电极11的充电电压小于第二子像素电极21的 充电电压，使得两子像素电极11、12对应的液晶畴区所受到的电场强度各不相同，最终使 得两畴区内的液晶分子的偏转角度各不相同。
[0043] 此时，虽然液晶仍具有光学上的各向异性，但两畴区的透光方向并不相同，两畴区 出射的光线互相补充，就能够使出射光在各个方向上大致均匀。由于液晶显示装置在宏观 上呈现的画面是从每个像素单元出射的光线在空间上的积分效果，因此，在本实用新型实 施例中，从范围较广的任意视角观察均能够得到大致相同的画面效果，即液晶显示装置的 可视角度得到提高，同时不额外增加TFT对子像素电极进行充放电控制。
[0044] 又或者，如图2所示，相对于第二TFT 22的漏极而言，第一 TFT12的漏极与第一子 像素电极11之间增设有第二分压电阻R2,与上述分析类似的，在相同的驱动电压下，由于 第二分压电阻R2同样具有分压作用，因此，第一 TFT 12的漏极处的充电电压小于第二TFT 22的漏极处的充电电压，进而使得两子像素电极11、12对应的液晶畴区所受到的电场强度 各不相同，最终使得两畴区内的液晶分子的偏转角度各不相同。
[0045] 需要说明的是，与上述分压原理类似的，也可以同时在第一 TFT12的源极与数据 线03之间增设第一分压电阻R1，并在第二TFT 22的漏极与第一子像素电极11之间增设第 二分压电阻R2,使得两子像素电极11、12对应的液晶畴区所受到的电场强度各不相同，最 终使得两畴区内的液晶分子的偏转角度各不相同。
[0046] 进一步地，第一 TFT 12的源极可以通过折线状的源极线与数据线03相连，此时， 第二TFT 22的源极通过直线状的源极线与数据线03相连，从而增加第一 TFT 12的源极与 数据线03之间的电阻，进而形成第一分压电阻R1。
[0047] 类似的，第一 TFT 21的漏极也可以通过折线状的漏极线与第一子像素电极11相 连，此时，第二TFT 22的漏极通过直线状的漏极线与第二子像素电极21相连，从而增加第 二TFT 22的源极与第二子像素电极21之间的电阻，进而形成第二分压电阻R2。
[0048] 示例性的，如图3所示，以第一 TFT 12的源极通过折线状的源极线与数据线03相 连为例，所述像素单元〇 1具体包括第一子像素电极11和第二子像素电极21，第一子像素电 极11和第二子像素电极21分别位于一条栅线02的两侧，以及一条所述数据线03的同侧； 直接以栅线02作为两TFT的栅极，并且，第一 TFT与数据线03之间通过源极线13相连，源 极线13采用折线状设计，从数据线03向所述第一子像素电极11延伸，在栅线01上形成第 一源极14 ;第二TFT通过直线状的源极线与数据线03相连，从数据线03向第二子像素电极 21延伸，在栅线02上形成第二源极23,对应第一源极14和第二源极23分别形成第一漏极 15和第二漏极24,第一漏极15通过过孔与第一子像素11电极电性连接，第二漏极24通过 过孔与第二子像素电极21电性连接。
[0049] 这样，在相同的驱动电压下，由于折线状的第一 TFT源极线13形成第一分压电阻 R1，具有分压作用，使得第一 TFT的第一漏极15处的输出电压小于第二TFT的第二漏极24 处的输出电压，进而，使得分别与第一 TFT的漏极和第二TFT的漏极相连的子像素电极之间 形成电压差。
[0050] 当然，与图3中所示的像素单元01类似的，该第一 TFT 12的漏极也可以通过折线 状的漏极线与第一子像素电极11相连，具体的，可以参照图3,与第一 TFT 12相连的源极 线13类似的，可以将第一 TFT 12中与漏极15连接的漏极线也设计为折线状，形成第二分 压电阻R2,这样，由于第二分压电阻R2同样具有分压作用，可以使分别与第一 TFT的漏极和 第二TFT的漏极相连的子像素电极之间形成电压差。
[0051] 需要说明的是，本实用新型并未对TFT的连接关系以及形状类型进行特别限定， 例如：两TFT的连接关系可为两源级背对连接，对应的漏极位于背对连接的两源级的两侧， 或两源级并列排列，在两源级的同侧设置对应的两漏极；TFT可为源级呈长条状的I型TFT， 也可为源级呈U字状的U型TFT，本领域技术人员可以根据实际情况采用最合适的TFT的连 接关系和形状类型。
[0052] 作为对上述实施例的一种改进，如图4所示，还可以在栅线