用于制作高频晶体管的光刻版和高频晶体管的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件技术，尤其涉及一种用于制作高频晶体管的光刻版和尚频晶体管。
【背景技术】
[0002]随着无线通信技术的发展，高频晶体管的应用越来越广泛。广义的高频晶体管包括尚频双极型晶体管和尚频场效应晶体管等类型，狭义的尚频晶体管特指尚频双极型晶体管(RF Bipolar)。
[0003]衡量高频晶体管性能的最重要参数即截止频率(FT)，截止频率越高，表示其可稳定工作的最大工作频率也就越高。为了提升高频晶体管的截止频率，在实际工艺中都将高频晶体管的设计为线宽较小的梳状条形结构，排列成多发射极晶体管结构，而且其发射极采用多晶硅制作。高频晶体管还有一个重要的应用参数，即噪声，噪声越小越好。
[0004]因此，如何降低高频晶体管的噪声成为了亟需解决的问题。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型提供一种用于制作高频晶体管的光刻版和高频晶体管，以降低高频晶体管的噪声。
[0006]本实用新型第一个方面提供一种用于制作高频晶体管的光刻版，包括至少一个中间开口和两个侧开口，所述中间开口位于两个所述侧开口之间，各所述中间开口和所述侧开口平行且并列设置，各所述中间开口的第一宽度相等，且小于所述侧开口的第二宽度，所述中间开口和所述侧开口用于形成宽度相同的发射区窗口。
[0007]如上所述的用于制作高频晶体管的光刻版，可选地，所述第一宽度和所述第二宽度的范围为0.1微米?1.5微米。
[0008]如上所述的用于制作高频晶体管的光刻版，可选地，所述第一宽度与所述第二宽度的差值范围为0.02?0.2微米。
[0009]本实用新型另一个方面提供一种高频晶体管，包括:
[0010]基底；
[0011]设置在所述基底中的N个发射区窗口，各所述发射区的窗口的宽度相等，N为大于或等于3的正整数，所述发射区窗口是采用上述任一项所述的光刻版形成的；
[0012]发射极，设置在所述发射区窗口中且所述发射极的顶部高于所述发射区窗口的顶部；
[0013]浓基区，设置在所述基底中且位于各所述发射区窗口之间；
[0014]接触孔，设置基底中且位于各所述浓基区上方；
[0015]第一金属层，设置各所述发射极上方，且各第一金属层互连；
[0016]第二金属层，设置在各所述接触孔中且各第二金属层互连。
[0017]如上所述的高频晶体管，可选地，所述发射区窗口的宽度范围是0.1微米?1.5微米。
[0018]如上所述的高频晶体管，可选地，各所述发射极之间的间隔相等。
[0019]如上所述的高频晶体管，可选地，所述发射极的宽度大于所述发射区窗口的宽度。
[0020]如上所述的高频晶体管，可选地，所述第一金属层的宽度大于所述发射极的宽度。
[0021]如上所述的高频晶体管，可选地，所述第二金属层的顶部高于所述接触孔的顶部，且所述第二金属层的宽度大于所述接触孔的宽度。
[0022]如上所述的高频晶体管，可选地，各所述浓基区之间的间隔相等。
[0023]由上述技术方案可知，本实用新型提供的用于制作高频晶体管的光刻版和高频晶体管，通过采用侧开口的宽度与中间开口的宽度不同的光刻版形成发射区窗口，进而形成高频特性一致的发射极，使得高频晶体管的整体的噪声较小，性能较好。
【附图说明】
[0024]图1为根据本实用新型一实施例的用于制作高频晶体管的光刻版的结构示意图；
[0025]图2为根据本实用新型另一实施例的高频晶体管的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]高频晶体管一般具有多个发射区窗口，该多个发射区窗口的宽度需一致，进而避免由于发射区窗口的宽度不一致导致的发射极产生的高频特性不一致从而产生较大噪声的情况。但是实际操作中发现，即使用于形成发射区窗口的光刻版上的开口的宽度完全一致，最终在基底上形成的发射区窗口的宽度也总是不一致，因而产生较大的噪音。
[0027]实施例一
[0028]本实施例提供一种用于制作高频晶体管的光刻版，用于制作高频晶体管，具体用于形成高频晶体管的发射区窗口。
[0029]如图1所示，为根据本实施例的用于制作高频晶体管的光刻版的结构示意图。本实施例的光刻版包括用于至少一个中间开口 101和两个侧开口 102，中间开口 101位于两个侦W口 102之间，各中间开口 101和侧开口 102平行且并列设置，各中间开口 101的第一宽度dl相等，且小于侧开口 102的第二宽度d2，其中，中间开口 101和侧开口 102用于形成宽度相同的发射区窗口，即通过该光刻版形成的发射区窗口，各发射区窗口的宽度相等。
[0030]可选地，第一宽度dl和第二宽度d2的范围为0.1微米?1.5微米，相应地，第一宽度dl与第二宽度d2的差值范围为0.02?0.2微米。
[0031]在采用同一光刻版制作多个发射区窗口时，若光刻版上的所有用于形成发射区窗口的开口的宽度一致，则在制作过程中，会由于光线干涉和衍射的作用，导致形成在基底上的发射区窗口的宽度出现偏差，具体为两侧的发射区窗口的宽度与中间发射区窗口的宽度不一致。
[0032]因此在实际应用中，可以根据实际需要，设定第一宽度dl与第二宽度d2以及第一宽度dl和第二宽度d2之间的差值。本实施例的各宽度指的是发射区窗口排列的方向，即平行于纸面的方向，例如图1所示的D方向。
[0033]因此，本实施例中将用于形成发射区窗口的光刻版上的侧开口 102的第二宽度d2设置为大于中间开口 101的第一宽度dl，进而在形成发射区窗口时能够对补偿光线干涉和衍射产生的宽度差异，进而使得所形成的发射区窗口的宽度一致，能够形成噪声较小的高频晶体管。
[0034]实施例二
[0035]本实施例提供一种采用实施例一的光刻版制作的高频晶体管。如图2所示，本实施例的高频晶体管包括基底、发射区窗口 202、发射极203、浓基区204、接触孔205、第一金属层206和第二金属层207。
[0036]本实施例的基底的材料具体可以是单晶硅、锗、锗硅，具体可以根据实际需要进行设定，在此不再赘述。例如图2所示，基底包括N型衬底2011、基区2012和介质层2014。在基区2012中设置有扩散区2013，该扩散区2013具体可以为N型扩散区，具体可以是发射极203之中的掺杂元素在高温环境下热扩散至基区2012的表层之中形成的，掺杂元素例如为磷或者砷。
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