曝光掩膜的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及在对晶片进行加工时所使用的曝光掩膜的制造方法。
【背景技术】
[0002]在以手机为代表的小型、轻量的电子设备中，具备1C、LSI等电子电路的器件芯片成为必须的构成部分。器件芯片例如能够以下述方式进行制造:通过被称作间隔道的多个分割预定线对由硅等材料构成的晶片的表面进行划分，并在各区域中形成电子电路，然后沿着该间隔道将晶片切断。
[0003]在切断晶片时，例如在使高速旋转的切削刀具切入晶片的间隔道后，使切削刀具和晶片在与间隔道平行的方向上相对移动。可是，在该方法中，由于沿着间隔道机械地切削晶片，因此，器件芯片的抗弯强度容易降低。
[0004]另外，在该方法中，由于需要在将切削刀具相对于间隔道高精度地进行位置对准之后分别切削各间隔道，因此，至加工结束为止需要相当长的时间。特别是，该问题在待切削的分割预定线的数量较多的晶片中很严重。
[0005]因此，近年来，提出有利用等离子蚀刻来切断晶片的方法(例如参照专利文献1)。在该方法中，由于能够通过等离子蚀刻一次对晶片的整个表面进行加工，因此，即使由于器件芯片的小型化或晶片的大型化等而使得待加工的分割预定线的数量增加，加工时间也几乎不变即可完成。
[0006]另外，由于不是机械式地切削晶片，因此，能够抑制加工时的缺口等，并能够将器件芯片的抗弯强度维持得较高。另外，在该方法中，利用在玻璃基板的表面上形成有由铬等构成的遮光膜的图案的曝光掩膜(例如，参照专利文献2)，在晶片的正面和背面上形成蚀刻用的抗蚀剂膜。
[0007]专利文献1:日本特开2006-114825号公报
[0008]专利文献2:日本特开昭62-229151号公报
[0009]可是，由于上述的曝光掩膜是经过遮光膜的形成、抗蚀剂膜的覆盖、抗蚀剂膜的图案描绘、遮光膜的蚀刻这样复杂的工序来制造，价格很高，因此，如果采用该曝光掩膜，则晶片的加工成本也会升高。
【发明内容】
[0010]本发明是鉴于所述问题点而完成的，其目的在于提供与以往的方法相比能够以简单的工序廉价地制造曝光掩膜的曝光掩膜的制造方法。
[0011]根据本发明，提供一种曝光掩膜的制造方法，其是晶片加工用的曝光掩膜的制造方法，其特征在于，所述曝光掩膜的制造方法包括:槽形成工序，在透明板的、与晶片的间隔道相对应的正面侧的区域中形成未到达该透明板的背面的深度的槽，该透明板具有待加工的所述晶片以上的大小且使光透过；和遮光材料埋设工序，将具有遮光性的遮光材料埋设于该槽中。
[0012]在本发明中，优选的是，该遮光材料埋设工序是利用具有喷墨嘴的埋设构件进行的。
[0013]另外，在本发明中，优选的是，在该遮光材料埋设工序中，在该透明板的形成有该槽的正面的整体上覆盖该遮光材料，将该遮光材料埋设于该槽中，然后将覆盖该透明板的除该槽以外的正面的该遮光材料去除。
[0014]本发明的曝光掩膜的制造方法包括:槽形成工序，在使光透过的透明板的正面侧，与晶片的间隔道相对应地形成未到达透明板的背面的深度的槽；和遮光材料埋设工序，将具有遮光性的遮光材料埋设于槽中。
[0015]因此，无需经过抗蚀剂膜的覆盖、抗蚀剂膜的图案描绘、遮光膜的蚀刻这样复杂的工序，就能够制造出具备与晶片的间隔道相对应的遮光图案的曝光掩膜。这样，根据本发明，能够提供与以往的方法相比可通过简单的工序廉价地制造曝光掩膜的曝光掩膜的制造方法。
【附图说明】
[0016]图1的⑷是示意性地示出晶片的构成例的立体图，图1的(B)是示意性地示出晶片的构成例的剖视图。
[0017]图2的(A)是示意性地示出槽形成工序的立体图，图2的⑶是示意性地示出槽形成工序后的透明板的剖视图。
[0018]图3的(A)是示意性地示出遮光材料埋设工序的局部侧剖视图，图3的⑶是示意性地示出遮光材料埋设工序后的透明板的立体图。
[0019]图4的(A)是示意性地示出遮光材料埋设工序的变形例的剖视图，图4的⑶是示意性地示出遮光材料埋设工序的变形例的立体图。
[0020]标号说明[0021 ] 11:晶片；
[0022]11a:正面；
[0023]lib:背面；
[0024]11c:外周；
[0025]13:器件区域；
[0026]15:外周剩余区域；
[0027]17:间隔道(分割预定线)；
[0028]19:器件；
[0029]21:透明板；
[0030]21a:正面；
[0031]21b:背面；
[0032]23:槽；
[0033]25:液体；
[0034]27:遮光材料；
[0035]29:遮光膜(遮光材料)；
[0036]2:切削刀具；
[0037]4:喷墨嘴(埋设构件)；
[0038]12:磨削装置；
[0039]14:保持工作台；
[0040]16:主轴；
[0041 ]18:轮座；
[0042]20:磨轮；
[0043]20a:轮基座；
[0044]20b:磨削磨具。
【具体实施方式】
[0045]参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式的曝光掩膜的制造方法包括槽形成工序(参照图2的㈧和图2的(B))和遮光材料埋设工序(参照图3的㈧和图3 的(B))。
[0046]在槽形成工序中，在使光透过的透明板的正面侧，与晶片的间隔道相对应地形成未到达透明板的背面的深度的槽。在遮光材料埋设工序中，在透明板的槽中埋设具有遮光性的遮光材料。下面，对本实施方式的曝光掩膜的制造方法详细叙述。
[0047]首先，对使用本实施方式的曝光掩膜进行加工的晶片进行说明。图1的(A)是示意性地示出晶片的构成例的立体图，图1的(B)是示意性地示出晶片的构成例的剖视图。
[0048]如图1的(A)和图1的⑶所示，晶片11例如是由硅等半导体材料形成的大致圆形的板状物，正面la被分成中央的器件区域13、和围绕器件区域13的外周剩余区域15。
[0049]器件区域13由呈格子状排列的间隔道(分割预定线)17进一步划分为多个区域，在各区域中形成有1C等器件19。晶片11的外周11c被进行了倒角加工，呈圆弧状。
[0050]在本实施方式的曝光掩膜的制造方法中，要制造出具备与上述的晶片11的间隔道17相对应的遮光图案的曝光掩膜。具体而言，首先，实施槽形成工序，在该槽形成工序中，在透明板上形成与晶片11的间隔道17相对应的槽。图2的㈧是示意性地示出槽形成工序的立体图，图2的⑶是示意性地示出槽形成工序后的透明板的剖视图。
[0051]如图2的(A)和图2的⑶所示，成为曝光掩膜的基材的透明板21是由玻璃、树脂等透明材