曝光掩膜的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及对晶片进行加工时使用的曝光掩模的制造方法。
【背景技术】
[0002]在以移动电话为代表的小型轻量的电子设备中，具备IC、LSI等电子电路的器件芯片是必要的结构。器件芯片例如可以通过如下过程制造:通过被称为间隔道的多条分割预定线对由硅等材料制成的晶片的正面进行划分，并在各区域内形成电子电路之后，沿着该间隔道切割晶片。
[0003]在切割晶片时，例如，在使高速旋转的切削刀具切入晶片的间隔道之后，使切削刀具以及晶片向与间隔道平行的方向相对移动。但是，在该方法中，由于将晶片沿间隔道机械地刮切，由此器件芯片的抗弯强度容易降低。
[0004]此外，在该方法中，由于需要在高精度地将切削刀具定位于间隔道之后对各间隔道进行单独地切削，因此到加工结束为止需要长时间。特别地，该问题在要进行切削的分割预定线的数量较多的晶片中较深刻。
[0005]因此，近年来，提出了利用等离子蚀刻来切割晶片的方法(例如，参照专利文献I)。在该方法中，由于通过等离子蚀刻能够一次对晶片的整个面进行加工，因此即使由于器件芯片的小型化、晶片的大型化等造成要加工的分割预定线的数量增多，加工时间也可以基本不变。
[0006]此外，由于不是将晶片机械地刮切，因此抑制了加工时的缺口等，能够较高地维持器件芯片的抗弯强度。另外，在该方法中，使用在玻璃基板的表面上形成有由铬等制成的遮光膜的图案的曝光掩模(例如，参照专利文献2)，在晶片的正面和背面上形成有蚀刻用的抗蚀膜。
[0007]专利文献1:日本特开2006-114825号公报
[0008]专利文献2:日本特开昭62-229151号公报
【发明内容】
[0009]但是，上述曝光掩模是通过遮光膜的形成、抗蚀膜的覆盖、抗蚀膜的图案描绘、遮光膜的蚀刻等复杂的工序而制造的，价格较高，因此如果使用该曝光掩模，则晶片的加工成本也会变高。
[0010]本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供一种曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法与现有的方法相比，能够通过简单的工序廉价地制造曝光掩模。
[0011]根据本发明，提供一种曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法是晶片加工用的曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法具备:准备工序，准备遮光板，该遮光板在透光并具有要加工的晶片以上的大小的板状部件的正面上覆盖有遮挡光的遮光膜；槽形成工序，在与该晶片的间隔道相对应的该遮光板的正面侧的区域形成去除该遮光膜并且深度未达到该遮光板的背面的槽；以及树脂埋设工序，将透明的树脂埋设于该槽而填埋在该槽形成工序中形成于该槽的底部的凹凸。
[0012]在本发明中，优选该树脂埋设工序通过具有喷墨喷嘴的埋设机构来进行。
[0013]此外，在本发明中，优选在该树脂埋设工序中，在形成有该槽的该遮光板的正面整体上覆盖该树脂而将该树脂埋设于该槽。
[0014]本发明的曝光掩模的制造方法包含如下工序:准备工序，准备遮光板，该遮光板在透光的板状部件的正面覆盖有遮挡光的遮光膜；槽形成工序，在与晶片的间隔道相对应的遮光板的正面侧形成去除遮光膜并且深度未达到遮光板的背面的槽；以及树脂埋设工序，将透明的树脂埋设于遮光板的槽中。
[0015]因此，能够不通过抗蚀膜的覆盖、抗蚀膜的图案描绘、遮光膜的蚀刻之类复杂的工序而制造具备与晶片的间隔道相对应的透射图案的曝光掩模。这样，根据本实施方式，能够提供一种曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法与现有的方法相比能够以简单的工序廉价地制造曝光掩模。
【附图说明】
[0016]图1中的(A)是示意性地示出晶片的结构例的立体图，图1中的(B)是示意性地示出晶片的结构例的剖视图。
[0017]图2中的(A)是示意性地示出遮光板以及槽形成工序的立体图，图2中的(B)是示意性地示出槽形成工序之后的遮光板的剖视图。
[0018]图3中的㈧是示意性地示出树脂埋设工序的局部剖视侧视图，图3中的⑶是示意性地示出树脂埋设工序之后的遮光板的立体图。
[0019]图4是示意性地示出树脂埋设工序的变形例的剖视图。
[0020]标号说明
[0021]11:晶片；lla:正面；llb:背面；llc:外周；13:器件区域；15:外周剩余区域；17:间隔道(分割预定线);19:器件；21:板状部件;21a:正面;21b:背面;23:遮光膜;25:遮光板;27 -M ;27a:底部;29:液体;31:树脂;33:树脂膜(树脂);2:切削刀具;4:喷墨喷嘴(埋设机构)
【具体实施方式】
[0022]参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式的曝光掩模的制造方法包含准备工序、槽形成工序(参照图2的(A)以及图2的(B))、以及树脂埋设工序(参照图3的
(A)以及图3的(B)) ο
[0023]在准备工序中，准备遮光板，该遮光板在透光的板状部件的正面上覆盖有遮挡光的遮光膜。在槽形成工序中，在与晶片的间隔道相对应的遮光板的正面侧，去除遮光膜并且形成深度未到达遮光板的背面的槽。在树脂埋设工序中，将透明的树脂埋设于遮光板的槽中。以下，对本实施方式的曝光掩模的制造方法进行详细叙述。
[0024]首先，对使用本实施方式的曝光掩模而加工的晶片进行说明。图1的(A)是示意性地示出晶片的结构例的立体图，图1的⑶是示意性地示出晶片的结构例的剖视图。
[0025]如图1的(A)以及图1的⑶所示，晶片11是例如由硅等半导体材料形成的大致圆形的板状物，正面Ila被分为中央的器件区域13与包围器件区域13的外周剩余区域15。
[0026]器件区域13进一步被排列为格子状的间隔道(分割预定线)17划分为多个区域，在各区域内形成有IC等器件19。晶片11的外周Ilc被倒角加工而带有圆角。
[0027]在本实施方式的曝光掩模的制造方法中，制造具备与上述晶片11的间隔道17相对应的透射图案的曝光掩模。具体而言，首先，实施准备工序，准备被加工成曝光掩模的遮光板。图2的(A)是示意性地示出本实施方式的遮光板、以及在准备工序之后实施的槽形成工序的立