e)或砸化物。所述混合 物可W在所述接触步骤之前或之后与基质交联。
[0040] 在一个实例中，所述方法还可W包括形成包含根据本发明实施方式的光学组合物 的透明盖构件或波长转换构件的步骤。
[0041] 在一个实例中，所述基质通过具有反应性基团的单体聚合而提供。例如，聚合可W 是加成反应。在有机娃的情况下，所述反应性基团可W包含己締基和所述交联剂可W包含 Si-H基。所述聚合可W通过催化剂、例如Pt催化剂引发。当所述单体提供为具有己締基 时，也可W使用自由基引发的聚合。在硅氧烷（siloxane)的情况下，普遍使用过氧化物引 发的聚合。此外，通过缩合反应的聚合也可W用于提供交联聚合物基质。
[0042] 在一个实例中，提供了根据本发明的方法制备的光学组合物。
[0043] 要注意本发明设及权利要求书中叙述的特征的所有可能组合。
【附图说明】
[0044] 现在将参考显示本发明的实施方式的附图，更详细地描述本发明的该些和其他方 面。
[0045] 在图1中，显示了根据本发明的实施方式，原位形成纳米晶体的反应图式。
[0046] 在图2中，示意性地显示了包含透明盖构件的发光装置，所述透明盖构件包含根 据本发明实施方式的光学组合物。
[0047] 在图3a-c中，显示了波长转换构件的例子，所述波长转换构件包含根据本发明实 施方式的光学组合物和波长转换材料。
[0048] 在图4a-b中，示意性地显示了制备本发明实施方式的光学组合物的方法。
[0049] 在图5中，显示了根据本发明实施方式的光学组合物分别在与&S气体接触之前 和之后的折射率。
[0化0] 如所述图中示出，层和区的尺寸为了说明的目的被放大，因此提供它们是为了说 明本发明实施方式的一般结构。同样的参考数字始终是指同样的元件。
【具体实施方式】
[0051] 本发明现在将参考显示本发明当前优选实施方式的附图，在下文中更充分地描 述。然而，本发明可W体现为许多不同的形式，并且不应该解释为被限于本文中提出的实施 方式；相反地，提供该些实施方式是为了详尽性和完全性，并向技术人员充分传达本发明的 范围。
[0化2] 发明人已经发现，通过在所述组合物中原位形成纳米晶体，可W在不增加光散射 下增加用于例如发光装置的组合物的折射率。
[0053] 所述组合物包含含有阴离子有机部分的透明基质，和分散在所述基质中的金属阳 离子。所述金属阳离子和所述阴离子有机部分形成有机金属络合物。所述透明基质可W聚 合W提供化学交联的网络。当所述分散的金属阳离子与包含选自硫和砸的至少一种元素的 作用剂接触时，所述金属阳离子可W与所述选自硫和砸的至少一种元素在所述基质中原位 形成纳米晶体。
[0054] 金属阳离子的分散和纳米晶体的原位形成倾向于进一步降低聚集风险并因此也 减少过量的光散射。
[0化5] 通过原位形成纳米晶体，不需要在制备所述光学组合物之前形成或表面改性纳米 晶体。因此，所生成的光学组合物可包含透明基质和分散在所述基质中的未改性的（即没 有表面改性的）纳米晶体，所述透明基质包含有机部分残基，所述未改性的纳米晶体包含 金属阳离子与选自硫和砸的至少一种元素。
[0056] 术语"原位"，本文中用于描述纳米晶体不在与所述基质接触之前形成，例如在常 规方法中，而是当有机金属络合物的金属阳离子与包含选自硫和砸的至少一种元素的作用 剂接触时在所述基质内形成。
[0057] 在根据本发明原位形成纳米晶体中，所述有机金属络合物的移动性比常规方法中 预先形成的纳米晶体的移动性低得多。因此，本文所述的纳米晶体的原位形成倾向于减少 纳米晶体的聚集，从而减少过量的光散射。
[005引术语"阴离子有机部分"，本文中是指电子比质子多、因此具有负电荷的有机分子 或化合物或者分子或化合物的有机部分。所述阴离子有机部分可W是具有阴离子有机基团 的分子。或者，所述阴离子有机部分可W是基质的聚合物的阴离子有机侧基。所述阴离子 有机部分可W选自例如駿酸根、横酸根和丙酬酸根基团。
[0059] 术语"有机部分残基"，本文中是指所述阴离子有机部分的不带电荷状态。通常，所 述有机部分残基由所述阴离子有机部分和附加的氨原子组成。有机部分残基的例子可W选 自例如駿酸和横酸。
[0060] 术语"金属阳离子"是指阳离子金属离子，即电子比质子少、因此具有正电荷的金 属离子。金属阳离子的例子可W选自例如锋、簡、铁。通常，优选二价金属阳离子。
[0061] 术语"纳米晶体"本文中是指基本上单晶的纳米结构。所述纳米晶体具有至少一 个尺寸小于100皿，通常小于50皿，或小于约1皿。纳米晶体可W具有约10皿的至少一个尺 寸。纳米晶体在材料性质上可W是基本均匀的。纳米晶体的光学性质可W由它们的尺寸、 化学组成或表面组成决定。纳米晶体可W由半导体材料制成。
[0062] 术语"未改性的纳米晶体"，本文中是指在与透明基质组合之前没有表面改性的纳 米晶体。此外，未改性的纳米晶体通常不具有与它们的表面结合、辆合、配位、连接或缔合的 任何分子、化合物或离子。
[0063] 术语"有机金属络合物"，本文中是指当阴离子有机部分和金属阳离子彼此相互作 用例如通过形成盐时形成的络合物。有机金属络合物可W包含金属-碳键，通常为离子键 和共价键之间的中间性状。
[0064] 术语"包含选自硫和砸的至少一种元素的作用剂"，本文中是指包含当有机金属络 合物与作用剂接触时可W与有机金属络合物的金属阳离子形成纳米晶体的元素的物质。通 常，所述作用剂是气体。包含选自硫和砸的至少一种元素的作用剂的例子可W选自例如 和HgSe。
[00化]术语"均匀地分散"，本文中是指金属阳离子、有机金属络合物或纳米晶体分散在 基质中而不彼此形成聚集体或簇。因此，根据本发明的实施方式，分散的金属阳离子、有机 金属络合物或纳米晶体没有在基质中形成可W引起过量光散射的聚集体或簇。优选地，在 所述金属阳离子、有机金属络合物或纳米晶体在所述基质的每个样品中的浓度类似或等于 金属阳离子、有机金属络合物或纳米晶体在所述基质中的平均总浓度的意义上，所述金属 阳离子、有机金属络合物或纳米晶体也是均匀分散的。
[0066] 术语"光学部件"，本文中是指适合用于光学装置例如发光装置中的透明部件。光 学部件的例子是磯光体的透镜、粘合层、基质材料。
[0067] 术语"透明的"，本文中是指允许光通过所述材料而不散射的物理性质。
[0068] 一般而言，包含选自硫和砸的至少一种元素的作用剂、例如&S气体，与包含含有 阴离子有机部分和分散金属阳离子的基质的组合物之间的反应可W如下：
[0069] 町(g) + (M2+)狂-)2-（M2+)妒-)+2XH(方程 1)
[0070] 其中Y表示选自硫和砸的元素；M"表示可W是二价的金属阳离子，例如化"或 Cd";X-表示阴离子有机部分，例如駿酸根基团，例如COO-、0吊7〇2-或RSO2〇-;(M2+) (Y2-)表示 纳米晶体，例如aiS、CdS、aiSe、CdSe或化S;和XH表示有机部分残基，例如COOH、CgHsA或 RS020H。取决于所述金属阳离子和所述阴离子有机部分的氧化态，方程1可能必须根据M、 X和&Y的相对摩尔量进行修改。
[0071] 根据本发明实施方式的透明基质可W是聚合物基质或基于硅氧烷的基质。所述基 于硅氧烷的基质可W包含有机娃，例如聚硅氧烷和改性聚硅氧烷。所述聚合物基质可W包 含姪聚合