电子照相用构件、处理盒和电子照相设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及电子照相用构件、处理盒和电子照相设备。
【背景技术】
[0002] 采用电子照相系统的电子照相设备主要包括电子照相感光构件、充电装置、曝光 装置、显影装置、转印装置和定影装置。充电装置采用通过施加电压（仅直流电压或叠加交 流电压的直流电压）至与电子照相感光构件的表面接触或靠近配置的充电构件而给电子 照相感光构件的表面充电的系统。从稳定地进行充电和减少臭氧的生成的观点，已优选使 用用与电子照相感光构件的表面接触的充电构件进行充电的接触充电系统。在接触充电系 统的情况下，已优选使用漉形状的充电构件（下文中称作"充电漉"）。
[0003] 在使用接触充电系统中的充电漉的情况下，存在其中归因于充电构件的微小电阻 不均和充电构件的表面上调色剂和外部添加剂的污染而易于形成横纹状充电不均图像的 问题。
[0004] 为了解决上述问题，已进行各种尝试。作为该些尝试之一，已提出设及通过引入树 脂颗粒至充电漉的树脂层W形成凸部从而均一化充电来改进横纹状充电不均图像的方法 (专利文献1)。
[0005] 进一步地，作为用于形成凸部的颗粒，使用包括纺鍾状、圆柱状、或针状的绝缘性 材料作为在其表面上携带金属氧化物的母颗粒化aseparticles)的复合颗粒。已提出设 及通过使用颗粒形成从小到大的凸形状来改进由污染引起的不良图像（defectiveimage) 和由放电不良引进的不良图像的方法（专利文献2)。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[000引 Pi'Ll;日本专利申请特开2003-316112号公报
[0009] ?化2:日本专利申请特开2009-9029号公报
【发明内容】
[0010] 发巧要解决的间願
[0011] 然而，在使用接触充电系统中的充电构件的情况下，当在如上所述的充电构件的 表面上形成凸部时，减少充电构件与电子照相感光构件之间的接触面积。因此，劣化充电构 件相对于电子照相感光构件的从动旋转性（化iven-rotationperhrmance)。与此同时，在 一些情况下形成具有横纹状浓度不均（下文中有时称作"条带化anding)")的电子照相图 像。目P，劣化通过电子照相感光构件与充电构件之间的接触的充电构件相对于电子照相感 光构件的旋转的追随性（follow-upperhrmance)，其引起电子照相感光构件的表面电位 的局部不均。推定表面电位的局部不均呈现为电子照相图像上的条带。
[0012] 另外，本发明的发明人已认识到，近年来为了满足电子照相图像形成设备的进一 步高速化的需求，必须发展具有相对于电子照相感光构件的旋转的优良的追随性、且更不 可能引起条带图像化andingimage)的形成的充电构件。
[0013] 本发明的目的为提供改进电子照相用构件相对于电子照相感光构件的从动旋转 性W抑制条带的发生，且还可适合用于高速、高耐久性、和高图像品质的电子照相设备的电 子照相用构件。
[0014] 本发明的另一目的为提供有助于高品质的电子照相图像的形成的处理盒和电子 照相设备。
[00巧]用于解决间願的方秦
[0016] 根据本发明的实施方案之一，提供电子照相用构件，其包括；导电性基体；和表面 层，其中：表面层包括粘结剂树脂和选自由碳酸儀的薄片状晶体颗粒和碳酸巧的薄片状晶 体颗粒组成的组的至少一种晶体颗粒的凝集物；由晶体颗粒形成的卡屋结构（cardhouse structure)的端面露出在凝集物的表面；表面层的表面包括源于凝集物的凸部；和凸部的 表面具有反映露出在凝集物表面的卡屋结构的端面形状的凹凸。
[0017] 进一步地，根据本发明的实施方案之一，提供包括上述电子照相用构件和电子照 相感光构件的处理盒，处理盒可拆卸地安装在电子照相设备的主体上。进一步地，根据本发 明的实施方案之一，提供包括上述电子照相用构件和电子照相感光构件的电子照相设备。 [00化]发巧的效果
[0019] 根据本发明的实施方案之一，可进一步改进电子照相用构件相对于电子照相感光 构件的从动旋转性。因此，可进一步抑制由归因于电子照相感光构件与电子照相用构件之 间的相对速度不均的充电不均而引起的条带图像的发生。
【附图说明】
[0020] 图1A为根据本发明的电子照相用构件（漉形状）的截面图。
[0021] 图1B为根据本发明的电子照相用构件（漉形状）的截面图。
[0022] 图2为根据本发明的电子照相用构件的表面附近放大的局部截面图。
[0023] 图3A为根据本发明的电子照相用构件的截面图。
[0024] 图3B为说明根据本发明的电子照相用构件的凸部表面的高度剖面的实例的图。
[0025] 图4A为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的示例性 形状的图。
[0026] 图4B为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的另一示 例性形状的图。
[0027] 图4C为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的又一示 例性形状的图。
[002引图5A为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的卡屋结 构的示例性形状的图。
[0029] 图5B为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的卡屋结 构的示例性形状的图。
[0030] 图5C为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的卡屋结 构的示例性形状的图。
[0031] 图5D为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的卡屋结 构的示例性形状的图。
[0032] 图5E为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的卡屋结 构的示例性形状的图。
[0033] 图5F为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的卡屋结 构的示例性形状的图。
[0034] 图5G为说明包含于根据本发明的电子照相用构件的表面层中的凝集物的卡屋结 构的示例性形状的图。
[0035] 图6为说明用于测量根据本发明的电子照相用构件的表面的动摩擦系数的测量 设备的图。
[0036]图7为由测量根据本发明的电子照相用构件的表面的动摩擦系数获得的示例性 图表。
[0037] 图8为说明根据本发明的电子照相设备的实例的截面示意图。
[003引图9为说明根据本发明的处理盒的实例的截面示意图。
【具体实施方式】
[0039] 图1A为根据本发明的电子照相用构件的截面图，且电子照相用构件包括导电性 基体1和覆盖导电性基体1的周面的表面层2。另外，表面层2包含粘结剂树脂和凝集物 4。如图1B所示，导电性弹性层3可形成在导电性基体1与表面层2之间。
[0040] 图2为表面层2的表面附近放大的局部截面图。源于凝集物4的凸部（下文中简 称为"凸部"）形成在表面层2的表面。
[0041] 图3A为根据本发明的电子照相用构件的截面图。图3B说明其中放大由图3A的 凝集物4形成的凸部表面的圆圈部分的凸部表面的高度剖面。应注意，图3B中凸部表面的 圆圈部分的放大图为透视图。图3B中示出的基准线5相当于与图3A中示出的导电性基体 1平行所画的基准线5。图3B中，通过基准线5上相对于电子照相用构件的表面的水平方 向的外周的凸部表面的虚线表示高度剖面6。如图3B的高度剖面6所示，凸部的表面具有 反映露出在凝集物4的表面的卡屋结构的形状的凹凸。
[0042] 凝集物的形状的实例包括图4A所示的球状，图4B所示的柱状，和图4C所示的管 状。
[0043] 如图5A至图5G所示，卡屋结构指其中形成凝集物4的薄片状晶体颗粒的端面和 层面（layerface)有选择地相互接触的结构。在该种情况下，可存在其中如图5B所示的 晶体颗粒的端面和层面相互结合的晶体颗粒形状。进一步地，薄片状晶体颗粒可具有如图 5C所示的波浪形状（wavyshape),且如图抓所示，端面的厚度可不均一。
[0044] 如图祀所不，不特别限制薄片状晶体颗粒的大小关系（magni化d