像素驱动电路及其驱动方法、显示装置与流程

本发明涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路及其驱动方法、显示装置。

背景技术：

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，以下简称OLED)显示器具有自发光、反应速度快、对比度高、视角广等诸多优点，OLED已越来越广泛地应用于显示装置中。

由于普通OLED显示器的尺寸不是很大，因此，供电电路中的电源与每个像素点的电源导线的长度都不是很长，即电源导线的阻值很小，因此，OLED显示器在工作过程中，电源导线的电阻压降(IR drop)很小，每个像素点的电压基本一致，每个像素点发出相同亮度的光，所以不存在OLED显示器的亮度不均的问题；但是随着OLED显示器的尺寸逐渐增大，这就使得供电电路中的电源与每个像素点的电源导线的长度增长，即电源导线的阻值增加，导致OLED显示器在工作过程中，电源导线的电阻压降(IR drop)增加，这样就使得OLED显示器中不同区域的像素点的电压不一致，不同区域的像素点发出不同亮度的光，从而导致了OLED显示器在工作过程中屏幕的亮度不均匀。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种像素驱动电路及其驱动方法、显示装置，用于提高OLED显示器屏幕亮度的均匀性。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种像素驱动电路包括跳变电容、复位单元、数据写入单元、补偿单元、发光控制单元以及用于驱动发光单元发光的驱动晶体管；

所述复位单元的输出端与所述跳变电容的第一极板相连，所述数据写入单元的输出端与所述跳变电容的第二极板相连，所述补偿单元的输出端与所述跳变电容的第二极板相连；

所述跳变电容的第一极板与所述驱动晶体管的控制端相连，所述复位单元的输出端还与所述驱动晶体管的输入端相连，所述补偿单元的输出端还分别与所述驱动晶体管的输出端以及所述发光控制单元的输入端相连，所述发光控制单元的输出端与发光单元的输入端相连；

所述复位单元用于清除上一驱动周期中所述跳变电容的第一极板的端电压，并控制所述驱动晶体管导通；所述数据写入单元用于将数据信号写入所述跳变电容的第二极板；

所述补偿单元用于在所述驱动晶体管导通时，所述跳变电容的第一极板放电，直至所述驱动晶体管关断；

所述发光控制单元用于降低所述驱动晶体管的输出端电压，使得所述驱动晶体管导通，所述发光单元发光；所述补偿单元用于将所述驱动晶体管的输出端电压传输至所述跳变电容的第二极板，使得所述跳变电容的第二极板的端电压的变化量跳变到所述跳变电容的第一极板，保持所述驱动晶体管处在导通状态。

与现有技术相比，本发明提供的自发电装置具有如下有益效果：

本实施例提供的像素驱动电路中，复位单元清除上一驱动周期中跳变电容的第一极板的端电压，并控制驱动晶体管导通；数据写入单元将数据信号写入跳变电容的第二极板；复位单元使得驱动晶体管再次导通，同时将上一驱动周期中跳变电容的第一极板的端电压清除，使得数据信号可以重新被写入驱动晶体管，并为跳变电容的第一极板提供电压；

补偿单元在驱动晶体管导通时，跳变电容的第一极板放电，控制驱动晶体管关断；当驱动晶体管的栅源电压小于驱动晶体管的阈值电压时，驱动晶体管关断，使得跳变电容停止放电；

发光控制单元降低驱动晶体管的输出端电压，使得驱动晶体管导通，发光单元发光；补偿单元将驱动晶体管的输出端电压传输至跳变电容的第二极板，使得跳变电容的第二极板的端电压的变化量跳变到跳变电容的第一极板，保持所述驱动晶体管处在导通状态；补偿单元控制跳变电容的第一极板的端电压与驱动晶体管的控制端电压均为V_ref+V_th+V_s-V_data，使得驱动晶体管保持在导通状态；由于流过驱动晶体管的电流的大小与驱动晶体管的栅源电压V_gs和驱动晶体管的阈值电压V_th的差值有关，因此，流过驱动晶体管的电流的大小受到参考电压信号和数据信号的控制，与驱动晶体管的阈值电压V_th无关，与供电信号以及电源负极无关，消除了驱动晶体管的阈值电压、供电信号以及电源负极对流过发光元件的电流影响，避免了由于电源导线过长引起的电阻压降的问题，使得数据信号的正常输出，保证显示器屏幕亮度均匀。

本发明还提供了一种像素驱动电路的驱动方法，包括了上述技术的像素驱动电路；

本发明还提供了一种显示装置，包括了上述技术的像素驱动电路。

与现有技术相比，本发明提供的像素驱动电路的驱动方法以及显示装置的有益效果与上述技术方案提供的像素驱动电路的有益效果相同，在此不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例一所提供的像素驱动电路的结构示意图；

图2为本发明实施例一所提供的像素驱动电路的另一种结构示意图；

图3为本发明实施例一所提供的像素驱动电路的驱动信号示意图；

图4为本发明实施例一所提供的像素驱动电路的另一种驱动信号示意图；

附图标记：

1-复位单元， 2-数据写入单元；

3-补偿单元， 4-发光控制单元；

5-发光单元， 6-参考电压信号端子；

7-数据信号端子， Sn1-第一控制信号端子；

Sn2-第二控制信号端子， Sn3-第三控制信号端子；

M1～M6-第一开关管～第六开关管， OLED-有机发光二极管；

DTFT-驱动晶体管， C-跳变电容；

V_VDD-供电信号， V_VSS-电源负极；

V_data-数据信号， V_ref-参考电压信号；

Scan1-第一控制信号， Scan2-第二控制信号；

Scan3-第三控制信号， T₁-第一阶段；

T₂-第二阶段， T₃-第三阶段；

G-节点G， N-节点N；

S-节点S， VDD-供电信号端子；

VSS-电源负极端子。

具体实施方式

为了进一步说明本实施例提供的像素驱动电路及其驱动方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。

实施例一

请参阅图1，本实施例提供的像素驱动电路包括跳变电容C、复位单元1、数据写入单元2、补偿单元3、发光控制单元4以及用于驱动发光单元5发光的驱动晶体管DTFT；

复位单元1的输出端与跳变电容C的第一极板相连，数据写入单元2的输出端与跳变电容C的第二极板相连，补偿单元3的输出端与跳变电容C的第二极板相连；

跳变电容C的第一极板与驱动晶体管DTFT的控制端相连，复位单元1的输出端还与驱动晶体管DTFT的输入端相连，补偿单元3的输出端还分别与驱动晶体管DTFT的输出端以及发光控制单元4的输入端相连，发光控制单元4的输出端与发光单元5的输入端相连；

复位单元1清除上一驱动周期中跳变电容C的第一极板的端电压，并控制驱动晶体管DTFT导通；数据写入单元2用于将数据信号写入跳变电容C的第二极板；

补偿单元3在驱动晶体管DTFT导通时，跳变电容C的第一极板放电，直至驱动晶体管DTFT关断；

发光控制单元4降低驱动晶体管DTFT的输出端电压，使得驱动晶体管DTFT导通，发光单元5发光；补偿单元3将驱动晶体管DTFT的输出端电压传输至跳变电容C的第二极板，使得跳变电容C的第二极板的端电压的变化量跳变到跳变电容C的第一极板，保持驱动晶体管DTFT处在导通状态。

下面结合图1和图3对本实施例提供的像素驱动电路的一个驱动周期的工作过程进行详细说明。

第一阶段T₁，复位单元1清除上一驱动周期的第三阶段T₃中跳变电容C的第一极板的端电压，并控制驱动晶体管DTFT导通；数据写入单元2用于将数据信号写入跳变电容C的第二极板；

第二阶段T₂，补偿单元3在驱动晶体管DTFT导通时，跳变电容C的第一极板放电，直至驱动晶体管DTFT关断；

第三阶段T₃，发光控制单元4用于降低驱动晶体管DTFT的输出端电压，使得驱动晶体管DTFT导通，发光单元5发光；补偿单元3用于将驱动晶体管DTFT的输出端电压传输至跳变电容C的第二极板，使得跳变电容C的第二极板的端电压的变化量跳变到跳变电容C的第一极板，保持驱动晶体管DTFT处在导通状态。

通过上述本实施例提供的像素驱动电路中每个驱动周期的工作过程可知，在第一阶段，复位单元1清除上一驱动周期的第三阶段中跳变电容C的第一极板的端电压，并控制驱动晶体管DTFT导通；数据写入单元2将数据信号写入跳变电容C的第二极板；这样在每个驱动周期的第一阶段时，复位单元1使得驱动晶体管DTFT再次导通，同时将上一驱动周期的第三阶段中跳变电容C的第一极板的端电压清除，使得数据信号可以重新被写入驱动晶体管DTFT，并为第二阶段中跳变电容C的第一极板提供电压；

而在第二阶段，补偿单元3用于在驱动晶体管DTFT导通时，跳变电容C的第一极板放电，直至驱动晶体管DTFT关断；这样在每个驱动周期的第二阶段T₂，当驱动晶体管DTFT的栅源电压小于驱动晶体管DTFT的阈值电压时，驱动晶体管DTFT关断，跳变电容C停止放电，此时跳变电容C的第一极板的电压与驱动晶体管DTFT的控制端电压均为V_ref+V_th；

在第三阶段T₃，发光控制单元4用于降低驱动晶体管DTFT的输出端电压，使得驱动晶体管DTFT导通，发光单元5发光；补偿单元3用于将驱动晶体管DTFT的输出端电压传输至跳变电容C的第二极板，使得跳变电容C的第二极板的端电压的变化量跳变到跳变电容C的第一极板，保持驱动晶体管DTFT处在导通状态；这样在每个驱动周期的第三阶段，补偿单元3控制跳变电容C的第一极板的端电压为V_ref+V_th+V_s-V_data，使得驱动晶体管DTFT保持在导通状态；由于流过驱动晶体管DTFT的电流的大小与驱动晶体管的栅源电压V_gs和驱动晶体管的阈值电压V_th的差值有关，因此，流过驱动晶体管DTFT的电流的大小受到参考电压信号V_ref和数据信号V_data的控制，与驱动晶体管DTFT的阈值电压V_th无关，与供电信号V_VDD以及电源负极V_VSS无关，消除了驱动晶体管DTFT的阈值电压V_th、供电信号V_VDD以及电源负极V_VSS对流过发光元件5的电流影响，实现了对电源负极IR Drop的补偿，避免了由于电源导线过长引起的电阻压降的问题，使得数据信号的正常输出，保证显示器屏幕亮度均匀。

具体的，请参阅图1，本实施例所提供的像素驱动电路中，复位单元1包括：第一开关管M1和第二开关管M2；第一开关管M1的控制端接收第一控制信号端子Sn1输入的第一控制信号Scan1，第一开关管M1的输入端接收供电信号端子VDD输入的供电信号V_VDD，第一开关管M1的输出端与驱动晶体管DTFT的输入端相连；第二开关管M2的控制端接收第二控制信号端子Sn2输入的第二控制信号Scan2，第二开关管M2的输入端与第一开关管M1的输出端相连，第二开关管M2的输出端与跳变电容C的第一极板相连；

数据写入单元2包括：第三开关管M3；第三开关管M3的控制端接收第二控制信号端子Sn2输入的第二控制信号，第三开关管M3的输入端接收数据信号端子7输入的数据信号V_data，第三开关管M3的输出端与跳变电容C的第二极板相连；

补偿单元3包括：第四开关管M4和第五开关管M5；第四开关管M4的控制端接收第二控制信号端子Sn2输入的第二控制信号Scan2，第四开关管M4的输入端接收参考电压信号端子6输入的参考电压信号V_ref，第四开关管M4的输出端分别与驱动晶体管DTFT的输出端和发光控制单元4的输入端相连；第五开关管M5的控制端接收第三控制信号端子Sn3输入的第三控制信号Scan3，第五开关管M5的输入端与第四开关管M4的输出端相连，第五开关管M5的输出端与跳变电容C的第二极板相连；

发光控制单元4包括：第六开关管M6；第六开关管M6的控制端接收第三控制信号端子Sn3输入的第三控制信号Scan3，第六开关管M6的输入端与驱动晶体管DTFT的输出端相连，第六开关管M6的输出端与发光单元5的输入端相连。

发光单元5为有机发光二极管OLED，有机发光二极管OLED的阳极与第六开关管M6的输出端相连，有机发光二极管OLED的阴极与电源负极端子VSS相连。

其中，可以理解的是，上述实施例提供的像素驱动电路所利用供电信号端子提供的高电位的供电信号V_VDD和电源负极端子提供的低电位的电源负极V_VSS，由外部供电电源提供。

请参阅图1和图3，基于上述像素驱动电路的工作过程为：在一个驱动周期内，依次包括以下三个阶段：

在第一阶段T₁，在第一控制信号Scan1的驱动下，控制第一开关管M1导通，在第二控制信号Scan2的驱动下，控制第二开关管M2导通，从而供电信号V_VDD从第一开关管M1的输出端输出到第二开关管M2的输入端，再经第二开关管M2的输出端输出至跳变电容C的第一极板和节点G，清除上一驱动周期的第三阶段T₃中跳变电容C的第一极板的端电压，并使得驱动晶体管DTFT导通；在第三控制信号Scan3的驱动下，控制第六开关管M6关断，使得有机发光二极管OLED不发光。

在第二阶段T₂，在第二控制信号Scan2的驱动下，控制第二开关管M2、第三开关管M3以及第四开关管M4导通，数据信号V_data从第三开关管M3的输出端输出到跳变电容C的第二极板以及节点N；在第一控制信号Scan1的驱动下，控制第一开关管M1关断，使得供电信号V_VDD无法输出至跳变电容C的第一极板以及节点G；跳变电容C的第一极板通过第二开关管M2、驱动晶体管DTFT以及第四开关管M4构成的回路进行放电，当驱动晶体管DTFT关断时，跳变电容C停止放电，在此阶段，节点G的电压由V_VDD降为V_ref+V_th，节点S的电压为V_ref，节点N的电压为V_data。

值得注意的是，为使得驱动晶体管DTFT关断，驱动晶体管DTFT的栅源电压V_gs必须小于驱动晶体管DTFT的阈值电压V_th，当跳变电容C放电完成时，驱动晶体管DTFT处在导通和关断的临界点，此时，节点G的电压为V_ref+V_th；

在第三阶段T₃，在第一控制信号Scan1的驱动下，控制第一开关管M1导通，在第二控制信号Scan2的驱动下，控制第二开关管M2、第三开关管M3以及第四开关管M4关断；在第三控制信号Scan3的驱动下，控制第五开关管M5和第六开关管M6导通，使得节点S的电压下降至V_s，节点S的电压V_s通过第五开关管M5传输至跳变电容C的第二极板，使得跳变电容C的第二极板的端电压为V_s；这样，跳变电容C的第二极板的端电压的变化量V_s-V_data跳变到跳变电容C的第一极板，跳变电容C的第一极板的端电压为V_ref+V_th+V_s-V_data，使得驱动晶体管DTFT保持在导通状态；

供电信号通过第一开关管M1、驱动晶体管DTFT和第六开关管M6传输至有机发光二极管的输入端，使得有机发光二极管发光。

值得注意的是，此阶段驱动晶体管DTFT的栅源电压为V_gs＝V_ref+V_th-V_data，由于流过驱动晶体管DTFT的电流的计算公式为：

I_OLED＝0.5μnCox(W/L)(V_gs-V_th)² 公式1

其中，I_OLED为流过驱动晶体管DTFT的电流；μn为载流子的迁移率；Cox为单位面积的绝缘层电容；W为驱动晶体管的沟道宽度；L为驱动晶体管的沟道长度；V_gs为驱动晶体管的栅源电压；V_th为驱动晶体管的阈值电压；

将此阶段的驱动晶体管DTFT的栅源电压V_gs＝V_ref+V_th-V_data带入到公式1中得到流过驱动晶体管DTFT的电流为：

I_OLED＝0.5μnCox(W/L)(V_ref-V_data)² 公式2

由公式2可见，在其他参数不变的情况下，流过驱动晶体管DTFT的电流的大小受到参考电压信号和数据信号的控制，与驱动晶体管的阈值电压、供电信号V_VDD以及电源负极V_VSS无关，消除了驱动晶体管的阈值电压、供电信号V_VDD以及电源负极V_VSS对流过发光元件的电流影响，实现对电源负极的IR Drop补偿，避免了由于供电导线过长引起的电阻压降的问题，使得数据信号的正常输出，保证显示器屏幕亮度均匀。

另外，本实施例仅以上述具体的电路结构为例对所提供的像素驱动电路进行介绍，在本发明的其它实施例中，像素驱动电路的复位单元1、数据写入单元2、补偿单元3、发光控制单元4还可各自采用其它的结构实现，在此不再详述。

可以理解的是，驱动晶体管DTFT可以有很多种型号选择，本实施例提供的驱动晶体管DTFT为N型晶体管，具体的，可以为N沟道的MOSFET；由于N型晶体管的输出端与节点S相连，在第三阶段，节点S的电压为电源负极所提供，而计算电流的公式2中，节点S的电压被消除，因此，N型晶体管的设置使得电源负极对流过发光元件的电流没有影响，即实现对电源负极的IR Drop补偿。

需要说明的是，本实施例所提到的第一开关管M1～第六开关管M6的型号可以多种多样的，第一开关管M1～第六开关管M6中任一一个开关管既可以是N型晶体管也可以是P型晶体管，只是控制每个开关管导通或关断的电平信号不同，但是第一开关管M1～第六开关管M6必须保证可以快速地、可靠地被导通或被关断，本实施例示例性地列举两种电路结构：

第一种结构，请参阅图1和图3，第一开关管M1～第四开关管M4均为P型晶体管，具体的，可以为P沟道的MOSFET；第五开关管M5和第六开关管M6均为N型晶体管，具体的，可以为N沟道的MOSFET；第一开关管M1～第六开关管M6的连接方式与本实施例提供的电路连接方式相同；

结合图1和图3，本实施例所提供的像素驱动电路在每个驱动周期中包括，

第一阶段T₁，第一控制信号Scan1为低电平，第一开关管M1导通；第二控制信号Scan2为低电平，第二开关管M2、第三开关管M3和第四开关管M4均导通；第三控制信号Scan3为低电平，第五开关管M5和第六开关管M6关断。

第二阶段T₂，第一控制信号Scan1为高电平，第一开关管M1关断；第二控制信号Scan2为低电平，第二开关管M2、第三开关管M3和第四开关管M4均导通；第三控制信号Scan3为低电平，第五开关管M5和第六开关管M6关断。

第三阶段T₃，第一控制信号Scan1为低电平，第一开关管M1导通；第二控制信号Scan2为高电平，第二开关管M2、第三开关管M3和第四开关管M4均关断；第三控制信号Scan3为高电平，第五开关管M5和第六开关管M6均导通。

第二种结构，结合图2和图4，本实施例所提供的像素驱动电路中，

第一开关管M1～第六开关管M6均为P型晶体管，具体的，可以为P沟道的MOSFET；第一开关管M1～第六开关管M6的连接方式与本实施例提供的电路连接方式相同；

值得注意的是，第二种结构中的第一控制信号、第二控制信号均与第一种结构的的第一控制信号、第二控制信号完全相同，第二种结构中的第三控制信号的周期与第一种结构的第三控制信号的周期也相同，仅第二种结构的第三控制信号的电平与第一种结构的第三控制信号的电平在同一时刻相反，这种情况下，在第一阶段时，当第三控制信号为高电位时，第五开关管M5与第六开关管M6关断；在第二阶段时，当第三控制信号为高电位时，第五开关管M5与第六开关管M6关断，在第三阶段时，当第三控制信号为低电位时，第五开关管M5与第六开关管M6导通。

实施例二

本实施例还提供了一种像素驱动电路的驱动方法，应用于如实施例一的像素驱动电路；驱动方法包括多个驱动周期，每个驱动周期包括：

第一阶段T₁，复位单元1清除上一驱动周期的第三阶段中跳变电容C的第一极板的端电压，并控制驱动晶体管DTFT导通；数据写入单元2将数据信号写入跳变电容C的第二极板；

第二阶段T₂，补偿单元3在驱动晶体管DTFT导通时，跳变电容C的第一极板放电，直至驱动晶体管DTFT关断；

第三阶段T₃，发光控制单元4降低驱动晶体管DTFT的输出端电压，使得驱动晶体管DTFT导通，发光单元5发光；补偿单元3将驱动晶体管DTFT的输出端电压传输至跳变电容C的第二极板，使得跳变电容C的第二极板的端电压的变化量跳变到跳变电容C的第一极板，保持驱动晶体管DTFT处在导通状态。

本实施例提供的像素驱动电路的驱动方法由上述实施例提供的像素驱动电路具体实施，像素驱动电路的驱动方法与上述实施例中的像素驱动电路具有的有益效果相同，此处不再赘述。

需要说明的是，继续参阅图1和图3，本实施例提供的像素驱动电路的驱动方法应用于上述实施例的像素驱动电路，复位单元1包括第一开关管M1和第二开关管M2；数据写入单元2包括第三开关管M3；补偿单元3包括第四开关管M4和第五开关管M5；发光控制单元4包括第六开关管M6；

在第一阶段T₁，复位单元1清除上一驱动周期的第三阶段中跳变电容C的第一极板的端电压，并控制驱动晶体管DTFT导通，包括：

在第一控制信号端子Sn1输入的第一控制信号Scan1的驱动下，使得第一开关管M1导通，在第二控制信号端子Sn2输入的第二控制信号Scan2的驱动下，使得第二开关管M2导通，供电信号端子VDD输入的供电信号V_VDD通过第一开关管M1和第二开关管M2传输至跳变电容C的第一极板，使得跳变电容C的第一极板的端电压为V_VDD，以清除上一驱动周期的第三阶段中跳变电容C的第一极板的端电压，并控制驱动晶体管DTFT导通；

数据写入单元2将数据信号写入跳变电容C的第二极板包括：在第二控制信号Scan2的驱动下，使得第三开关管M3导通，数据信号端子7输入的数据信号通过第三开关管M3传输至跳变电容C的第二极板，使得跳变电容C的第二极板的端电压为V_data；

在第一阶段T₁还包括：在第二控制信号Scan2的驱动下，使得第四开关管M4导通，在第三控制信号端子Sn3输入的第三控制信号Scan3的驱动下，使得第五开关管M5关断，参考电压信号端子6输入的参考电压信号V_ref通过第四开关管M4传输至驱动晶体管DTFT的输出端，使得驱动晶体管DTFT的输出端的电压为V_ref；

在第三控制信号Scan3的驱动下，使得第六开关管M6关断，发光单元5不发光；

在第二阶段T₂，补偿单元3用于在驱动晶体管DTFT导通时，跳变电容C的第一极板放电，直至驱动晶体管DTFT关断，包括：

在第一控制信号Scan1的驱动下，使得第一开关管M1关断，跳变电容C的第一极板停止接收供电信号V_VDD；

在第二控制信号Scan2的驱动下，使得第二开关管M2与第四开关管M4均导通，跳变电容C通过跳变电容、第二开关管M2、第四开关管M4以及驱动晶体管DTFT构成的放电回路进行放电，跳变电容C的第一极板的端电压小于V_ref+V_th时，驱动晶体管DTFT关断；其中，V_th为驱动晶体管的阈值电压；

在第三阶段，发光控制单元降低驱动晶体管的输出端电压，使得驱动晶体管导通，发光单元发光；补偿单元将驱动晶体管的输出端电压传输至跳变电容的第二极板，使得跳变电容的第二极板的端电压的变化量跳变到跳变电容的第一极板，使得驱动晶体管保持在导通状态，包括：

在第二控制信号Scan2的驱动下，使得第二开关管M2、第三开关管M3和第四开关管M4均关断，在第三控制信号Scan3的驱动下，使得第五开关管M5和第六开关管M6均导通，驱动晶体管DTFT的输出端的端电压下降为V_s，使得驱动晶体管导通，其中，V_s为驱动晶体管DTFT的输出端的电压；驱动晶体管DTFT的输出端的端电压通过第五开关管M5传输至跳变电容C的第二极板，使得跳变电容C的第二极板的端电压为V_s，跳变电容C的第二极板的端电压的变化量V_s-V_data跳变到跳变电容C的第一极板，跳变电容C的第一极板的端电压为V_ref+V_th+V_s-V_data，使得驱动晶体管保持在导通状态；

在第一控制信号Scan1的驱动下，使得第一开关管M1导通；供电信号V_VDD通过第一开关管M1、驱动晶体管DTFT和第六开关管M6传输至发光单元5的输入端，使得发光单元5发光。

实施例三

本实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如实施例一所述的像素驱动电路，该显示装置很好的避免了由于供电导线过长引起的电阻压降的问题，使得数据信号的正常输出，保证显示器屏幕亮度均匀。

需要说明的是，上述实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。