技术编号:9996949
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。资料储存型闪存(NAND Flash)具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用。NAND Flash的编程和擦除需要30V高压,而提供NAND Flash编程和擦除时所需电压的电路中,通常使用P沟道金属氧化物半导体型场效应管(PM0S管),但基于目前的工艺,制造耐压30V的PMOS管的成本很高。实用新型内容本实用新型提供一种电压档位控制电路,以实现输出电压范围大,降低成本。本实用新型实施例提供了一种电压档位控制...
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