技术编号:9930490
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料领域,尤其涉及一种应用于功率器件的。背景技术氮化镓功率器件由于氮化镓材料其本身的先进特性,相对于目前市场上主导的硅半导体功率器件,在同样的工作电压和功率条件下,能够在能量转换过程中进一步降低大约30% -50%的能量损耗,同时它的体积更小(1/10),工作电压更高(> 600V),转换功率更大(> kW),以及工作频率更快(> 50MHz)。所有的这些优势在通过商业化降低生产成本,都可以转换成巨大的经济效益,为世界节能...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。