技术编号：9922922
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及具有PN结的半导体器件。特别地，本公开涉及具有改进稳定性的功率半导体器件。背景技术在功率半导体，期望提供具有保护机制的半导体器件，所述保护机制防止在极端开关条件下半导体器件的毁坏。这样的极端开关条件是因为在换向模式中操作功率半导体二极管而出现。当在换向模式中操作时，高电场可能例如出现在pn-n半导体二极管中的n-n结处，这可能在n-n结处导致电荷载流子的类似雪崩的连锁反应。在同样的时间点处，高电场强度可能出现在pn-n半导体二极管的ρη结处以及在...
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