技术编号：9913088
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件中，例如在形成有CMIS ( comp I emen tary metal insulatorsemiconductor，互补型金属绝缘体半导体结构)的FET等半导体元件的半导体衬底的上部，由例如以Cu(铜)或Al(铝)为主成分的金属膜形成多层布线，在多层布线的上部形成最终钝化膜。在日本特开2001-53075号公报(专利文献I)的图3中公开了如下构造在用镍/金、或镍/钯的包覆层18覆盖了表面的布线层17，连接有作为外部端子的导线22。在日本特开...
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