技术编号:9871618
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。极紫外光刻(EUVL)是目前国际上最具潜力、可以满足CD14nm以下节点IC量产的光刻技术。由于大部分气体都吸收13.5nm的极紫外光,尤其是碳氢化合物、水蒸气等气体在极紫外光作用下分解,会造成极紫外反射镜表面多层膜的碳沉积和氧化,而影响反射率,因此需要提供给光刻机清洁的真空环境。极紫外光刻机内部具有大量的板级电子学系统,其中的PCB板和电子兀器件在真空环境下会释放出大量的污染性气体和微粒,严重破坏光刻机工作环境,因此需要为板级电子学系统设计真空密封结构,...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。