技术编号：9713677
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。以往，在将互补的数据写入至两个存储单元的半导体非易失性存储器中，公知一种具有空白检查(blank check)功能的半导体非易失性存储器。例如，日本特开2009-272028号公报(专利文献1)所记载的半导体集成电路具备包含多个双单元的非易失性存储器(DFL;21)、选择器(SEL_BC)和读出电路(BC_SA)。在双单元的两个非易失性存储单元(MC1、MC2)中写入互补数据，而将其设定成小阈值电压和大阈值电压的组合的写入状态。在两个非易失性存储器(MC1...
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