技术编号：9693431
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。诸如发光二极管的半导体发光元件通常通过在生长基板上生长η型半导体层、发光层和Ρ型半导体层并且通过形成用于分别向η型半导体层和ρ型半导体层施加电压的η电极和Ρ电极来制造。本领域已知具有没有生长基板的结构(S卩，所谓的接合结构，其中ρ电极形成在ρ型半导体层上并且接着将元件经由接合层接合到支撑基板)的半导体发光元件，作为设计用于提高以上描述的结构中的散热性能的半导体发光元件。作为用于将从发光层发射的光以更大量提取到外部的一种技术，专利文献1公开了以下技术用碱溶液...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。