技术编号：9583712
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在集成电路的制造中，需要精确控制各种工艺参数以用于实现基板内的一致的结果，以及从基板至基板是可再现的结果。由于用于形成半导体器件的结构的几何限制推挤技术限制，因而更严格的公差和精确的工艺控制对制造成功来说很关键。然而，随着几何尺寸收缩，精确的临界尺寸与蚀刻工艺控制已变得日益困难。许多半导体器件是在等离子体存在的情况下进行处理的。可在利用电容耦合功率来激励形成等离子体的气体的处理腔室中容易地点燃等离子体。然而，其他类型的处理腔室中的等离子体点燃可能并非那么容...
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