技术编号:9402127
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在硅基板上隔着由氮化铝构成的缓冲层而形成有外延生长而成的化合物半导体层的化合物半导体装置及其制造方法以及树脂密封型半导体装置。背景技术近年来,作为半导体器件的材料,宽带隙半导体即氮化物系半导体材料的开发正在活跃地进行。作为宽带隙半导体的特征,可以列举出绝缘击穿电压与作为通常半导体的娃(Si)相比大I个数量级。在以往的Si中,为了得到高耐压的功率用半导体器件,需要延长使电子行走的漂移层。与此相对照,在氮化镓(GaN)中,以短的漂移层(Si的大约1/...
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