技术编号：9401849
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在KrF准分子激光（248nm)用抗蚀剂以后、半导体用光刻中，使用利用化学增幅的 图案形成方法。 为了半导体元件的微细化而促进曝光光源的短波长化与投影透镜的高数值孔径 (high numerical aperture，高NA)化，现在正在开发以具有193nm的波长的ArF准分子激 光为光源的曝光机。作为进一步提高解析能力的技术，提出在投影透镜与试样之间充满高 折射率的液体（以下也称为"液浸液"）的方法（即液浸法）。而且，还提出了利用更短波 长（13. 5...
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