技术编号：9351630
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 相较于内量子效率而言，GaN基LED的外量子效率和光提取效率还有待进一步的 技术突破来取得提高。造成GaN基LED外量子效率和光提取效率较低的原因主要包括晶格 缺陷对光的吸收、衬底对光的吸收以及光在出射过程中的全反射、材料层中的波导效应等。 由于光提取效率和外量子效率在本质上是一致的。影响光子逸出主要有以下原因光子的 全反射，大部分光子在半导体与外部界面上由于全反射而回到半导体内部，全反射光被活 性层自身、基板、电极等吸收而无法出射，因此，一般LED芯片...
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