技术编号:9328628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前市场上有很多要求电流精确控制的应用需求,即随温度变化电流波动极小,因此低温度系数电阻的应用非常广泛。在现有0.13微米平台上有电阻为1ΚΩ?2ΚΩ的高阻多晶硅电阻的工艺,但是温度系数是无法满足电源管理单元(PMU)以及微控制单元(MCU)的产品需求的;通过工艺优化可以实现低温度系数,但是多晶硅的方块电阻阻值只能达到200Ω?300Ω,如果需要同时满足高阻和低温度系数的需求,现有技术只能通过增加方块电阻的数目来实现,但是会造成芯片面积变大,增加成本。发明...
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