技术编号：9250160
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。LED (Light Emitting D1de，发光二极管)，尤其是GaN基的LED器件，具有体积小、效率高、寿命长等优点，被广泛应用于交通信号灯、全色显示、液晶屏幕背光板、汽车仪表及内装灯等。现有的GaN基的LED的外延片主要包括依次生长在衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层、P型层和P型接触层，其中，多量子阱层包括InGaN量子阱层和GaN量子皇层，通常，P型层的生长压力不会高于200torr，这种低压生长方式生长的P型层的晶体质量较差，衬底与外延片之...
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