技术编号：8926652
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明用于硅晶片的可印刷的扩散阻挡层 本发明涉及制备可印刷的低至高粘度的氧化物介质的新方法和其在制造太阳能 电池中的用途，以及使用这些新介质制造的具有改善寿命的产品。 简单的太阳能电池或目前代表市场中最大市场份额的太阳能电池的生产包括以 下概述的主要生产步骤 1.锯损伤蚀刻和纹理化 硅晶片（单晶，多晶或准单晶，P或n型基础掺杂）通过蚀刻方法而不含附着的锯 损伤并且"同时"纹理化（通常在相同的蚀刻浴中）。在这种情况下，纹理化是指由于蚀刻 步骤产生优选对齐的...
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