技术编号：8909278
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。作为现有的发光元件，已知通过在透光性基板的形成有凹凸图案的面上生长出晶体膜而形成的发光元件(例如参照专利文献I)。在专利文献I中，在蓝宝石基板的形成有凹凸图案的面上生长出GaN系半导体层。专利文献I的蓝宝石基板的凹凸图案具有如下功能抑制由于蓝宝石基板和GaN系半导体层的折射率不同引起的从GaN系半导体层中的发光层发出的光在蓝宝石基板和GaN系半导体层的界面处的反射。通过抑制这样的反射，能减少发光层对反射光的吸收、由于反射光的多重反射导致的衰减，提高发光元件...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。