技术编号：8838128
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本实用新型涉及了一种集成电路硅通孔的测量结构，尤其是涉及了微波、毫米波 段器件测试领域的一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，削弱硅通孔和与其连 接的水平互联线的耦合噪声，进而显著提高去嵌入法测量电特性精度。背景技术 目前主流集成电路的设计，包括英特尔的多芯片架构，延续的仍然是传统的二维 扁平系统架构，但随着晶体管的特征尺寸不断减小，互连线性能的瓶颈效应，以及摩尔定律 对尺寸极限的制约，呼唤一种新的集成电路系统架构的出现，以便充分体现其立体的垂直 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。