技术编号：8771117
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本实用新型涉及一种RRAM存储单元中可变电阻仿真建模电路。背景技术 阻变型随机存储器（RRAM)是一种新型的非易失性信息存储技术，其存储单元是 由一种金属氧化物（例如WOx，HfOx，TiOx，NiOx等）实现的可变电阻。 根据对可变电阻的实际测量数据，通过模型建立的方法是能够较为真实的拟合可 变电阻的直流和交流电气特性，反映可变电阻在不同工作条件下的记忆或存储信息的特 性。建立的仿真模型，可服务于电阻型随机存储器存储单元设计的仿真验证，有效地帮助设 计...
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