技术编号：8563688
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。如图1所示，现有的很多MOSFET的第一外延片22，第二外延片23 二者是一体设置的，然后封装体21封装，这样设置的目的是散热，但是实际效果很差，由于第一外延片，第二外延片的散热面积有限，导致散热不畅，另外第一外延片，第二外延片二者是一体设置很容易造成短路。现有的MOSFET对耐压程度也不高，不能承受特殊环境状态下使用。所以现有技术有缺陷，需要改进。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种微型耐压高散热的M0SFET，能够提高微型耐压提高散热效果...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。