技术编号：8554846
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 通过EFG方法生长β -Ga2O3单晶是已知的（例如参见非专利文献 uGrowth of β -Ga2O3Single Crystals by the Edge-Defined Film Fed Growth Method"，Hideo Aida，Kengo Nishiguchij Hidetoshi Takeda，Natsuko Aotaj Kazuhiko Sunakawaj Yoichi Yaguchi，Japanese Journal of Ap...
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