技术编号:8531752
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路(IC),其包括衬底;在所述衬底之上的绝缘层;以及在所述绝缘层上的第一纳米线元件和与所述第一纳米线元件相邻的第二纳米线元件。本发明进一步涉及包括这样的IC的半导体器件。本发明又进一步涉及利用这样的IC测量介质中的感兴趣的分析物的方法。本发明又进一步涉及制造这样的IC的方法。背景技术半导体技术的持续小型化已使得嵌入在诸如集成电路(IC)等的半导体器件中的功能能够显著多样化,这在一些情况中已导致在单个器件上提供近全面的解决方案。例如,半导体器...
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