技术编号:8509333
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着当今社会数字化与信息化的提升,作为信息的载体,半导体存储器的研宄也 取得了很多的突破。目前占据绝大部分半导体存储器市场份额的三种存储器分别是闪存 (Flash)、动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)和静态随机存储器 (StaticRandomAccessMemory,SRAM)。然而随着半导体工艺节点由 90nm、45nm、22nm的 不断推进,这三种存储器技术也都面临着各自物理极限的挑战。 相变存储器(PC...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。