技术编号：8414165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。横向高压功率半导体器件LDMOS (Lateral Double-diffused M0SFET)是指的具有横向沟道结构的高压功率MOS器件。由于这类器件的漏极、源极和栅极都在芯片的表面，易于通过内部连接与低压信号电路集成，故在高压集成电路(HVIC)和功率集成电路(PIC)中作为技术的关键。但在功率MOS器件设计中，导通电阻(Rm)随着击穿电压(BV)以2.5次方的速度增加，使得功率MOS的高压应用受到很大的限制。由于LDMOS工作时的电流在漂移区的表面...
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