技术编号：8362689
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对存储单元进行快速读写，一直是高速存储器芯片(如flash等)的追求目标。存储单元的行地址译码电路是存储器电路中所必需的，用来进行行地址的译码和选通。行地址译码电路会直接影响存储器的读取速度以及电荷泵的负载。目前，为了达到更快的译码和选通效果，行地址译码电路会需要高压开关转换，通常行地址译码电路中的各管电压通常比较高才能够达到迅速开关转换的目的，这就导致整个行地址译码电路占用较大的面积，不符合集成度越来越高的发展趋势。请参考图1和图2，图1为行地址译码电路...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。