技术编号：8222875
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。光刻胶，又称光致抗蚀剂(photoresist)，是指通过紫外光、电子束、离子束或X射线等的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。半导体工业中通过将光刻胶旋涂到基片上，随后显影，使曝光区域光刻胶溶解，非曝光区光刻胶残留，从而在晶片上产生特定的图案化区域。在液态的光刻胶中，溶剂成分占65% — 85%，用胶之后虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10% — 30%的溶剂，造成光刻胶材质较软，且容易玷污灰尘，因此，光刻胶的应用过程中不可避免的要涉...
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