技术编号:7522751
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成和制造,尤其涉及一种利用RRAM器件实现逻辑运算的方法。背景技术RRAM是一种利用材料阻值变化来实现数据存储的新技术,该器件具有功耗低、速度快、易集成等优点,因而被广泛看好。同时几乎在各类材料中都有发现阻变现象,这也为 RRAM的发展提供了广阔的选择空间。RRAM工作分为两个过程-set和reset过程,前者是指器件在外界激励下(如偏压)由高阻态进入低阻态的过程,后者是指器件在外界激励下(如偏压)由低阻态进入高阻态的过程。同时按照set...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。