技术编号：7518092
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率管，特别涉及一种能防止电流倒灌的功率管电路结构。 背景技术金属氧化物场效应管(MOSFET)，特别是P型MOSFET被广泛应用于各种功率转换的 集成电路中，如开关电源电路、LDO电路、充电电路等等。而金属氧化物场效应管的结构是对 称的，也就是说，当器件的源极和漏极的电压发生变化时，源极和漏极的作用是可以发生互 换的。图1示出了 PMOS的结构，如图所示，在一块P型薄硅片的P型区上，以N阱(N-WELL) 作为衬底，在N阱上扩散两个高浓度杂...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。