技术编号：7516727
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及电子领域。特别地，本发明的实施例涉及电子设备和系统的电源管理。 背景技术泄漏电流可能是从一个设备在关闭状态下泄漏出的很小的电流，由该设备的半导体特性而导致。例如，深亚微米时段中的高泄漏电流对设备中的互补金属-氧化物半导体(CMOS)电路的电源损耗正在起到越来越大的作用，这是由于构成CMOS电路的晶体管的阈电压、信道长度和栅氧化层厚度因将设备成比例縮小的持续努力而持续地下降。 在设备中具有三种主要的泄漏源，即亚阈值泄漏、栅泄漏和反偏压接点泄漏...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。