技术编号：7266037
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种势磊厚度渐变的LED结构外延生长方法，生长发光层MQW的步骤为在温度为730-750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa（1-x）N层，x=0.20-0.21；将反应室温度调节为800-840℃，通入R含量的三甲基镓，生长出厚度为D的第一个GaN层；重复生长InGaN层，通入0.75-0.95倍R的三甲基镓，生成厚度为0.75-0.95D的第二个GaN层...
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