技术编号：7256337
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种高K金属栅工艺中TiN表面界面层的去除工艺，至少包括以下步骤1）于包括依次层叠于Si衬底表面的SiO2层、高K介质层、TiN层以及多晶硅层的栅极结构中去除所述多晶硅层，露出所述TiN层以及形成于其表面的氮氧化硅界面层；2）采用F-基干法刻蚀去除所述氮氧化硅界面层，去除过程中TiN表面会形成氟化钛界面层；3）于H2或者N2/H2的混合气体的气氛中对所述TiN层表面进行高温等离子体处理；4）采用湿法清洗工艺对所述TiN表面进行清洗。本发明可以有效...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。