技术编号：7236759
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及强耦合器，特别涉及一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器。 背景技术随着无线通信技术的迅速发展，要求产品小型化，低成本，低损耗。而传 统微波电路设计，往往局限于电路板表面的元件分布和设计，忽略了电路板的背面-金属接地板的开发和利用。由此在研究光子带隙(PBG)结构基础上提出 了缺陷地结构(DGS) ， DGS是通过在接地板上刻蚀缺陷图形而成，这种结构 会扰乱接地板上的屏蔽电流分布，而扰乱的屏蔽电流分布又会改变传输线的特 性，如有效电感和有效电容。在传统...
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