技术编号：7227488
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种光刻胶的去除方法 及光刻工艺的返工方法。背景技术光刻工艺在半导体制造工艺中有着举足轻重的地位。在半导体制造 工艺中，需要先通过光刻在半导体基底上预先定义出光刻胶图案，然后 按照预定的图案进行刻蚀或离子注入。光刻工艺水平的高低、质量的好 坏直接影响刻蚀或离子注入的结果。在光刻中，光刻胶首先通过旋涂的 方法被均勻的旋涂于半导体晶片的表面，然后通过烘烤、曝光、显影等 一系列的工艺将掩膜板上的图案转移到半导体晶片表面的光刻胶上，形...
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