技术编号：7220441
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有绝缘栅构造的绝缘栅型半导体元件。背景技术 以往的绝缘栅型双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor以下称IGBT)具有场效应晶体管的高输入阻抗、以及双极晶体管的高电流驱动能力，尤其适用于功率开关元件。在这种半导体元件中，为了防止因热失控而破坏半导体元件等，需要提高散热性。为此，通过钎料等将半导体元件固定到兼用作散热片的支撑片(热沉)上。半导体元件产生的热量，经由半导体元件表面及钎料等，从散热片向外部排出。然...
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