技术编号：7211297
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及高压MOS晶体管的利记博彩app，特 别在制作高压MOS晶体管的过程中防止双峰效应的方法。背景技术在半导体技术中，即使元件尺寸持续缩减，仍希望晶体管的性能可更为 增进，也希望能制造出结合低、高、中电压应用范围的集成电路半导体装置。 举例来说，用于驱动图像传感器、LCD以及印刷磁头等的集成电路(以下称 为驱动IC),由具有在+V以上的电源电压下工作的漏极及源极间的耐压能力 强的高压MOS晶体管的驱动输出单元，以及具有在凄t伏以下的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。