技术编号：7189261
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在诸如半导体器件制造工艺中的衬底制造方法和制造设备，利用处理液除去用粘接剂粘接到衬底上的光刻胶膜和聚合物层。背景技术 近年来，在半导体器件的制造工艺中，设计原则的小型化有了飞速进步。与此同时，考虑到半导体器件的高速工作，用低介电常数有机膜制作叫做低-K膜的层间绝缘膜，用低电阻率的Cu代替Al作为布线层材料。已经用双镶嵌工艺形成Cu布线层，相邻的Cu布线层之间设置有层间绝缘膜。该双镶嵌工艺，例如，按以下顺序进行。在下面的双镶嵌结构中的已经形，按预定...
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