技术编号:7172273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种γ-LiAlO2/α-Al2O3柔性衬底材料及制备方法。γ-LiAlO2/α-Al2O3柔性衬底材料主要用作InN-GaN基蓝光半导体外延生长。背景技术 以GaN为代表的宽带隙III-V族化合物半导体材料正在受到越来越多的关注,它们将在蓝、绿光发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)、高密度信息读写、水下通信、深水探测、激光打印、生物及医学工程,以及超高速微电子器件和超高频微波器件方面具有广泛的应用前景。由于GaN熔点高、硬度大、饱和蒸汽...
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