技术编号:7168927
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。与相关申请的交叉参考本申请基于和要求2002年6月12日申请的在先日本专利申请No.2002-171371的优先权;在此引入其全部内容作为参考。在形成熔丝窗口的时候,不仅需要加工这些变厚的层间绝缘膜,而且需要留下熔丝表面上的层间绝缘膜。尽管要求待留在熔丝表面上的层间绝缘膜的膜厚度尽可能地薄,以便通过激光烧断能稳定地切掉熔丝,但是,如上所解释的,待加工的层间绝缘膜制得十分厚,由此很难控制层间绝缘膜的加工。而且,近年来,为了提高半导体器件的处理速度,金属布线中...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。