技术编号:7168750
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种静电保护器,尤其涉及一种表面贴装场效应元器件的静电保护O背景技术场效应元器件是金属一氧化物半导体场效应集成电路简称,可以分为CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)、PM0S (P—Channel Metal Oxide kmiconductor,P 沟道金属氧化物半导体)、NMOS (N-Channel Metal Oxide kmiC0ndUCt0r,N沟道金属氧化...
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