技术编号：7166441
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，更具体地，本发明涉及一种掺杂的多晶硅栅极的利记博彩app，以及一种MOS晶体管及其利记博彩app。背景技术随着半导体技术的发展，集成电路所采用的特征尺寸越来越小，这使得MOS晶体管中的栅极长度、沟道长度相应减小。对于MOS晶体管而言，栅极长度的减小使得栅极电阻增大，这会引起较大的电阻-电容延迟(RC delay)，从而影响MOS晶体管的开关速率。为了提高减小栅极电阻，特别是多晶硅栅极的电阻，往往需要在多晶硅栅极中掺杂离子来增强多晶硅栅极的导电率。然而...
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