技术编号:7161612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及包括功率二极管整流器的功率半导体器件,且更为具体地,本发明涉及制造在半导体集成电路中的功率二极管以及制造该功率二极管的方法。背景技术上面引用的专利和未决的专利申请公开了包括一个或多个MOSFET结构的半导体功率二极管和整流器,其中公共电极与半导体本体的一个表面中的栅和源/漏区接触。该二极管具有低接通电阻、快恢复时间和很低的正向电压降。该二极管可以起到分立器件的作用并且可以在集成电路中工作。在一个实施例中,至二极管的一个触点是与半导体结构的一...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。