技术编号：7155190
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体处理，特别涉及半导体微制造中在蚀刻工艺之后对光刻胶和蚀刻残留物的清理和去除。背景技术 等离子体处理在半导体、集成电路、显示器和其它设备或材料的制造和处理中用于在诸如半导体基底的基底上去除材料或沉积材料。将集成电路的图案从光刻掩膜转印到基底上或者在基底上沉积介电或导电薄膜的半导体基底的等离子体处理在工业中已经成为标准方法。在蚀刻各种薄膜的半导体处理中，集成的挑战和折衷仍然存在。通常，在介电层上形成图案，使其具有用于沉积导电材料以形成垂直触点...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。