技术编号：7148383
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种。背景技术半导体制造工艺主要是进行多次的光刻工艺、刻蚀工艺和成膜工艺等，在半导体晶圆上形成各种结构的半导体器件。其中成膜工艺普遍采用热氧化法、和化学气相沉积工艺。而现有的热氧化法主要采用炉管设备进行，首先将晶片盒内的晶圆传送至晶舟内，然后将装载有晶圆的晶舟置于炉管设备的处理腔室中，接着将反应气体通入高温炉管内，使得反应气体在炉管设备的处理腔室内发生化学反应，在晶圆的表面沉淀一层薄膜，然后将晶舟从反应腔室中取出，进行自然...
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