技术编号：7118678
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种制作黑硅材料的方法，特别是涉及ー种用于制造太阳电池的过程中，使用低浓度碱溶液腐蚀晶体硅片制作黑硅材料的方法。背景技术采用适当的刻蚀或者腐蚀的方法，在晶体硅片平滑的表面制造出納米尺度的圆锥、圆柱的森林结构或者密集分布的洞穴，由于这样的结构对各频率光子具有高的吸收率，晶体硅片表面反射的可见光很少，从而呈现出黒色，因此具有这样的表面特征的晶体硅片被称为“黑硅”。黑硅是ー种新型的硅材料，具有优异的光电性质。一般黑硅表面的反射率低于2%，并且对于倾斜入...
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