技术编号:7103229
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力半导体器件制造技术,特别是一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法。 背景技术目前,电力半导体器件大多以硅单晶为基片,通过扩散等生产工艺后在硅片内按 照设计形成一个或数个PN结,但硅是一种非金属半导体,不易与外界电路相连。传统的电 力半导体器件外引出线与硅片连接,一般根据器件的结构采用两种方式,即焊接式和压接 式,焊接式用化学镀镍工艺使硅片表面形成一镍层电极,再采用铅锡等焊料与外部引线焊 接相连;压接式用铝烧结和蒸发工艺加工,在硅片的阳...
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